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Fundamental Aspects of Silicon Oxidation Capa dura - 2001 - 2001st Edição
por Yves J. Chabal (Editor)
Informações do editor
Descrição da contracapa
This book presents fundamental experimental and theoretical developments relating to silicon oxidation for ultra-thin gate oxide formation. Starting with elementary processes taking place during wet chemical cleans prior to oxidation, the focus is then placed on the incorporation of oxygen into the silicon crystal for H-passivated, clean and oxidized silicon surfaces, including oxygen diffusion and defect formation. Experimental methods include scanning tunneling microscopy, x-ray photoelectron and infrared absorption spectroscopies, ion scattering and transmission electron microscopy. Most of the theoretical contributions are based on first-principles calculations, ranging from cluster calculations to supercell and slab calculations. Phenomenological modeling of oxidation is also discussed. The material presented here will enable the reader to gain a deeper understanding of silicon oxidation and ultra-thin oxide formation (and the processes that affect the morphology of silicon oxides).
Detalhes
- Título Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
- Autor Yves J. Chabal (Editor)
- Encadernação Capa dura
- Número da edição 2001st
- Edição 2001
- Páginas 262
- Volumes 1
- Idioma ENG
- Editorial Springer, Berlin Heidelberg New York
- Data de publicação 2001-04-24
- Ilustrado Sim
- Features Illustrated
- ISBN 9783540416821 / 354041682X
- Peso 1.25 libras (0.57 kg)
- Dimensão 9.21 x 6.14 x 0.69 in. (23.39 x 15.60 x 1.75 cm)
- Número da Biblioteca do Congresso dos Estados Unidos 2001020054
- Dewey Decimal Code 620.11
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Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
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Springer Verlag, 2001. Hardcover. New. 1st edition. 273 pages. 9.25x6.00x0.50 inches.
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Hardback. New. Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints. The authors report on the state of the art both at Lucent Technology and in academic research. The book will appeal to researchers and advanced students.
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